SCHOTT HermeS® | NEC SCHOTT コンポーネンツ株式会社

SCHOTT HermeS^® (ショットハーメス)

NEC SCHOTT コンポーネンツ（株）はMEMS用極細貫通電極付ガラス基板[SCHOTT HermeS^®]を開発しました。高い気密性、低抵抗電極を備えたウエハレベルパッケージ用ガラス基板です。MEMSパッケージのイノベーションに最適です。

製品説明
MEMSデバイスはその機能を正しく発揮させるため、多くの場合気密封止が必要とされています。SCHOTT HermeS^®は当社で長年培ったGTMS（ハーメチックシール）のノウハウを応用し、材料はガラスとバルクの金属以外は使用せず、それらの熱膨張係数をマッチングさせることで、優れた気密性と電気特性を実現しました。

またウエハレベルパッケージングに対応しMEMSデバイスの直下にファインピッチの電極を配置することができるため、お客様のデバイスの小型化にお役立て頂けます。

特長

パッケージの小型化(WLP):
MEMSデバイス直下に、ファインピッチの電極を配置できウエハレベルパッケージ(WLP)が可能
シリコンとの陽極接合が可能:
ガラス素材（低アルカリホウケイ酸ガラス）の熱膨張係数はシリコンにマッチしており、陽極接合が可能
高い気密性:
長年培ったGTMS(ハーメチックシール)技術を活用し、電極にバルクの金属を採用
高周波応用に最適な電気特性:
優れた絶縁性・低い誘電率のガラスと、低抵抗の電極により、　　高周波ロスの低減が可能
優れた耐熱性

MEMSデバイスへの応用例

各種センサー (角速度、加速度、圧力等)
RF デバイス（スィッチ、発振器、フィルタ等
光MEMS (光ミラー、光スィッチ等)
マイクロアクチュエータ（バルブ、ポンプ）

標準仕様
サイズ	4”, 6”, 8”
厚み	500 ±20μm (Min. 350μm)
電極直径	100μm, 80μm, (50um開発中）
電極ピッチ	250μm, 200μm, (150μm 開発中)
気密性	≦ 1×10^-9 Pa・m³/sec [≦ 1×10^-8 atm cc/sec] （ヘリウム吹き付け法）
ガラス材料	SCHOTT TEMPAX Float® (Borofloat® 33) (低アルカリガラス)
ガラスの熱膨張率係数	3.25×10^-6／K
ガラスの誘電率	4.6
ガラスの屈折率	1.47 at 600nm
電極材料	タングステン
電極抵抗値 (タングステン電極)	5.5μΩcm

新ラインアップ
ガラス材料：	D263™Teco	AF32™Teco
ガラス熱膨張係数：	7.2×10^-6／K	3.2×10^-6／K
電極材料：	FeNi(50%)	タングステン

SCHOTT HermeS^®の詳細については、以下のダウンロードご覧ください。

SCHOTT HermeS®カタログ

製品パッケージ
お客様のご要望についてご相談させて下さい。

品質保証
詳細については、こちらをご覧ください。

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